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Inducing a level inside of CdTe bandgap doping with Sn using a co-sublimation technique by CSS

dc.coverage.spatialGeneración de conocimiento
dc.creatorINES MARGARITA RIECH MENDEZ
dc.dateinfo:eu-repo/date/embargoEnd/2099-12-31
dc.date2020-03-02
dc.date.accessioned2021-06-22T17:51:33Z
dc.date.available2021-06-22T17:51:33Z
dc.identifierhttps://doi.org/10.1016/j.mssp.2019.104836
dc.identifier.urihttp://redi.uady.mx:8080/handle/123456789/5730
dc.language
dc.publisherMaterials Science and Semiconducting Processing
dc.relationcitation:0
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.sourceurn:issn:1369-8001
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/7
dc.subjectINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.titleInducing a level inside of CdTe bandgap doping with Sn using a co-sublimation technique by CSS
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article


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