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Influence of conduction‑band non‑parabolicity on terahertz intersubband Raman gain in GaAs/InGaAs step asymmetric quantum wells

dc.coverage.spatialGeneración de conocimiento
dc.creatorIGNACIO VICENTE PEREZ QUINTANA
dc.dateinfo:eu-repo/date/embargoEnd/2099-12-31
dc.date2020-01-01
dc.date.accessioned2021-06-22T17:51:31Z
dc.date.available2021-06-22T17:51:31Z
dc.identifierhttps://doi.org/10.1007/s00339-019-3214-4
dc.identifier.urihttp://redi.uady.mx:8080/handle/123456789/5706
dc.language
dc.publisherApplied Physics A
dc.relationcitation:0
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.sourceurn:issn:0947-8396
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/7
dc.subjectINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.titleInfluence of conduction‑band non‑parabolicity on terahertz intersubband Raman gain in GaAs/InGaAs step asymmetric quantum wells
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article


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