Estudio de la estructura ZnO:Al/Cu/ZnO:al para su utilización como óxido conductor transparente en celdas solares

Abstract

Las estructuras AZO/Cu/AZO obtenidas en este trabajo de 80 a 95 nm de espesor crecidas por RF Magnetron Sputtering, las cuales se estudiaron después de su crecimiento y con un tratamiento térmico a 250°C. Se obtuvo que en las muestras tratadas térmicamente mostraron cambios en sus propiedades optoeléctricas en comparación de las obtenidas antes de tratarlas térmicamente, favoreciendo la transmitancia óptica, pero perjudicando a las eléctricas según su espesor. Al calcularse las figuras de mérito de Hackee se obtuvo que la muestra con un grosor de 10 nm de Cu obtuvo una transmitancia óptica del 63 % y una resistencia laminar de 15 Ω/cm2, se encuentra dentro del rango esperado y superando valores encontrados en la literatura, con un valor de figura de mérito de 6.7x10-4 Ω-1. De igual manera se calcularon las densidades de fotocorriente generadas idealmente para una celda de CdTe obteniendo los mejores resultados para la muestra de 10nm de Cu, la cual tiene un valor de 18.45 mA cm-1 para la densidad de fotocorriente máxima y una figura de mérito de flujo fotónico con valor de 1.24 mA cm-2 Ω-1, mostrando que la estructura dada con el espesor de Cu anteriormente mencionado da resultados muy prometedores para su uso en celdas solares.